Analyseur De Composants Semi-conducteurs

usage autonome ou avec ordinateur
identification automatique des composants
identification automatique des broches de connexion
identification de particularités comme la détection des diodes de protection et la détection des résistances shunt
transistors bipolaires: mesure du gain en courant et de courant de fuite, détection à diode silicium et germanium
mesure de la tension de seuil pour les MOSFET à enrichissement
mesure de la tension directe pour diodes, LED et jonctions base-émetteur des transistors
extinction automatique et manuelle
Specification Summary at 20,°C (68,°F) unless otherwise specified
courant crête de court-circuit coupé: -5.5 mA jusqu'à 5.5 mA
tension crête de court-circuit permanent: -5.1 V jusqu'à 5.1 V
transistor:

plage de gain (HFE): 4 - 65 000

précision de gain: ,± 3% ,± 5 Hfe

tension maximale de collecteur-à -émetteur (VCEO): 2.0 V - 3.0 V

précision de tension base-émetteur VBE: -2% -20 mV jusqu'à +2% + 20 mV

tension base-émetteur VBE pour transistor Darlington (shunted): 0.95 V - 1.80 V (0.75 V - 1.80 V)

seuil de résistance shunt base-émetteur: 50 k&Omega, - 70 k&Omega,

courant de collecteur BJT: 2.45 mA - 2.55 mA

courant de fuite acceptable BJT: 0.7 mA

MOSFET:


plage de tension de grille-source: 0.1 V - 5.0 V


précision de seuil: -2% -20 mV jusqu'à +2% + 20 mV


courant drain: 2.45 mA - 255 mA


résistance de grille: 8 k&Omega,

courant du drain d'appauvrissement: 4.5 mA

courants drain-source JFET: 0.5 mA - 5.5 mA
thyristor/Triac:

courant de grille: 4.5 mA

courant de maintien: 5.0 mA
diode:

courant de test: 5.0 mA

précision de tension: -2% -20 mV jusqu'à +2% + 20 mV

tension directe pour identification LED: 1.50 V - 4.00 V

seuil de court-circuit: 10 &Omega,
batterie:

type: MN21 / L1028 / GP23A 12 V alkaline

plage de tension: 7.50 V - 12 V

seuil d'alarme: 8.25 V
dimensions: 103 x 70 x 20 mm (4.1" x 2.8" x 0.8")
Weight per product (nett): 0.098kg (3.5oz)
température de travail: 10,°C ~ 40,°C (50F ~ 104F)