Descripción general
El Transistor N-MosFet STP60NF06 es un dispositivo de alta potencia diseñado para aplicaciones que requieren un rendimiento eficiente y confiable. Fabricado por STMicroelectronics, este transistor de canal N en encapsulado TO-220-3 es ideal para diversas aplicaciones en electrónica de potencia.Especificaciones técnicas
- Fabricante: STMicroelectronics
- Categoría: MOSFET
- Capsula: TO-220-3
- Polaridad de transistor: N-Channel
- Tensión separación drenador-fuente: 60 V
- Corriente de drenaje continuo: 60 A
- Resistencia drenaje-fuente: 16 mOhms
- Tensión de compuerta-fuente: 10 V
- Temperatura operativa mínima: -55 °C
- Temperatura operativa máxima: 175 °C
- Disipación de potencia: 110 W
- Tipo: Power MOSFET
'/%3E%3C/svg%3E){kind=small}