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Información del producto
Descripción
Transistor 14671-DIANTDTU IGBT 200V 25A 125W TO3PN
- Tipo de transistor IGBT
- Tensión colector-emisor 1.200V
- Corriente de colector 25Amp
- Poder disipado 125W
- Carcasa TO3PN
- Tensión entrada - emisor ±20V
- Corriente de colector en impulso 90A
- Carga de puerta 200nC
Características
- MarcaON SEMICONDUCTOR
- Garantía3 año(s)
- ColorNegro
- Alto100 mm
- Intensidad de la corriente1 A
- Ancho100 mm
- MaterialPlástico
- Tipo de instalación eléctricaCon tornillos
- Peso100 g
- Potencia35 W
- Tensión eléctrica5 V
- Referencia ManoManoME40447663
- MMID508885123657
- Ref. del fabricante14671-DI
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