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Información del producto
Descripción
ESPECIFICACIONES TÉCNICAS:
- Fabricante ON SEMICONDUCTOR
- Transistor N-MOSFET
- Tecnología QFET®
- Tensión drenaje-fuente 900V
- Corriente del drenaje 2.8A
- Poder disipado 205W
- Carcasa TO220AB
- Tensión puerta-fuente ±30V
- Resistencia en estado de transferencia 1.4Ω
- Carga de puerta 58nC
Características
- MarcaON SEMICONDUCTOR
- Garantía3 año(s)
- ColorMulticolor
- Alto100 mm
- Intensidad de la corriente2.8 A
- Intensidad nominalAC
- Ancho100 mm
- MaterialPlástico
- Tipo de instalación eléctricaCon tornillos
- Peso100 g
- Potencia205 W
- Tensión eléctrica30 V
- Referencia ManoManoME40447489
- MMID382125018796
- Ref. del fabricante47809-DI
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