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Descripción general
El transistor N-Mosfet SSP4N60B es un componente electrónico de alta eficiencia diseñado para aplicaciones que requieren un control preciso de la corriente. Su carcasa TO-220-3 permite una fácil integración en circuitos, ofreciendo un rendimiento confiable en diversas condiciones de operación.Especificaciones técnicas
- Carcasa: TO-220-3
- Número de canales: 1
- Tipo: N-Channel
- Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 600V
- Corriente de drenaje continua: 4A
- Tensión entre puerta y fuente: 30V
- Temperatura de trabajo: -55°C a 150°C
- Potencia: 100W
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