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Transistor N-Mosfet 100V 57A SMD D2PAK IRF3710SPBF

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Información del producto

Descripción

Descripción general

El transistor N-Mosfet IRF3710SPBF es un componente de alta potencia diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación. Fabricado por Infineon Technologies, este transistor utiliza la tecnología HEXFET® para ofrecer un rendimiento superior en un formato compacto D2PAK, ideal para montaje en superficie (SMD).

Especificaciones técnicas

  • Tensión drenaje-fuente: 100V
  • Corriente del drenaje: 57A
  • Poder disipado: 200W
  • Carcasa: D2PAK
  • Tipo de transistor: N-MOSFET
  • Tecnología: HEXFET®
  • Características

    • Marca
      INFINEON TECHNOLOGIES
    • Garantía
      3 año(s)
    • Color
      Multicolor
    • Alto
      100 mm
    • Intensidad de la corriente
      57 A
    • Intensidad nominal
      AC
    • Ancho
      100 mm
    • Material
      Plástico
    • Tipo de instalación eléctrica
      Con tornillos
    • Peso
      100 g
    • Potencia
      200 W
    • Tensión eléctrica
      100 V
    • Tipo de contacto
      Normalmente cerrado
    • Referencia ManoMano
      ME56141355
    • MMID
      103030687705
    • Ref. del fabricante
      16525-DI
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    Pago en 3x sin gastos

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    Más de 7 millones de clientes, tanto profesionales como particulares

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