Transistor HGTP20N60A4 IGBT 600V 70A 290W TO220
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Información del producto
Descripción
ESPECIFICACIONES TÉCNICAS:
- Fabricante ON SEMICONDUCTOR
- Tipo de transistor IGBT
- Tensión colector-emisor 600V
- Corriente de colector 40A
- Poder disipado 290W
- Carcasa TO220-3
- Tensión entrada - emisor ±20V
- Corriente de colector en impulso 280A
- Carga de puerta 210nC
Características
- MarcaON SEMICONDUCTOR
- Largo10 cm
- Ancho100 mm
- Alto100 mm
- Peso100 g
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