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IXTP4N65X2 Transistor N-MosFet X2 650V 4A 80W TO220AB

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Información del producto

Descripción

Descripción general

El transistor N-MOSFET IXTP4N65X2 es un dispositivo de alta potencia diseñado para aplicaciones que requieren un rendimiento eficiente y confiable. Con una tensión de drenaje-fuente de 650V y una corriente de drenaje de 4A, este transistor es ideal para diversas aplicaciones en el ámbito de la electrónica de potencia.

Especificaciones técnicas

  • Tipo de transistor: N-MOSFET
  • Tecnología: X2-Class
  • Polarización: Unipolar
  • Tensión drenaje-fuente: 650V
  • Corriente del drenaje: 4A
  • Poder disipado: 80W
  • Carcasa: TO220AB
  • Tensión puerta-fuente: ±30V
  • Resistencia en estado de transferencia: 850mΩ
  • Carga de puerta: 8.3nC
  • Tiempo de disponibilidad: 160ns
  • Características

    • Marca
      IXYS
    • Largo
      10 cm
    • Ancho
      100 mm
    • Alto
      100 mm
    • Peso
      100 g
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    El experto en bricolaje, hogar y jardinería

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