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Descripción general
El transistor Ixtp44n10t es un dispositivo N-MOSFET de alta potencia diseñado para aplicaciones que requieren un manejo eficiente de la energía. Con una tensión drenaje-fuente de 100V y una corriente del drenaje de 44A, este transistor es ideal para circuitos de conmutación y amplificación en diversas aplicaciones electrónicas.Especificaciones técnicas
- Tensión drenaje-fuente: 100V
- Corriente del drenaje: 44A
- Poder disipado: 130W
- Carcasa: TO220-3
- Resistencia en estado de transferencia: 30mΩ
- Montaje: THT
- Clase de empaquetado: tubo
- Clase de canal: enriquecido
- Propiedades de elementos semiconductores: trench gate power MOSFET
- Tiempo de disponibilidad: 60ns
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