Descripción general
El transistor IGBT IXGR40N60C2D1 es un dispositivo de alta potencia diseñado para aplicaciones que requieren un manejo eficiente de la energía. Con una capacidad de voltaje de hasta 600V y una corriente continua máxima de 56A, este transistor es ideal para diversas aplicaciones en el ámbito de la electrónica de potencia.Especificaciones técnicas
- Fabricante: IXYS
- Capsula: ISOPLUS247-3
- Voltaje colector-emisor VCEO máx.: 600V
- Voltaje de saturación colector-emisor: 2,7V
- Voltaje puerta-emisor máximo: 20V
- Temperatura operativa mínima: -55ºC
- Temperatura operativa máxima: 150ºC
- Corriente continua del colector máx.: 56A
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