Descripción general
El transistor N-Mosfet IRLR7843PBF es un componente electrónico de alta potencia diseñado para aplicaciones que requieren un manejo eficiente de la corriente. Con una capacidad de drenaje de hasta 161 A y una tensión de separación drenador-fuente de 30 V, este transistor es ideal para circuitos de conmutación y amplificación en diversas aplicaciones electrónicas.Especificaciones técnicas
- Montaje: SMD/SMT
- Capsula: TO-252-3
- Polaridad: N-Channel
- Número de canales: 1
- Tensión separación drenador-fuente: 30 V
- Corriente de drenaje continuo: 161 A
- Carga de compuerta: 34 nC
- Temperatura operativa mínima: -55 ºC
- Temperatura operativa máxima: +175 ºC
- Disipación de potencia: 140 W
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