Descripción general
El transistor FQP13N06L es un transistor N-MOSFET de alta eficiencia, diseñado para aplicaciones que requieren un manejo de potencia significativo. Fabricado por ON SEMICONDUCTOR, este componente es ideal para circuitos de conmutación y amplificación.Especificaciones técnicas
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Tecnología: QFET®
- Tensión drenaje-fuente: 60 V
- Corriente del drenaje: 9.6 A
- Poder disipado: 45 W
- Carcasa: TO220AB
- Tensión puerta-fuente: ±20 V
- Resistencia en estado de transferencia: 140 mΩ
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