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Información del producto
Descripción
ESPECIFICACIONES TÉCNICAS:
- Fabricante Infineon (IRF)
- Tipo de transistor N-MOSFET
- Tecnología HEXFET®
- Polarización unipolar T
- ensión drenaje-fuente 200V
- Corriente del drenaje 44A
- Poder disipado 320W
- Carcasa TO220AB
- Tensión puerta-fuente ±30V
- Resistencia en estado de transferencia 54mΩ
- Carga de puerta 60nC
Características
- MarcaINFINEON TECHNOLOGIES
- ColorMulticolor
- Intensidad de la corriente44 A
- MaterialPlástico
- Peso100 g
- Potencia35 W
- Tensión eléctrica5 V
- Referencia ManoManoME256126348
- MMID937352030499
- Ref. del fabricante52587-DI
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