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Transistor N-MosFet 200V 18Amp TO220 IRF640NPBF

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Información del producto

Descripción

Descripción general

El Transistor N-MosFet IRF640NPBF es un componente electrónico de tipo N-MOSFET, diseñado para aplicaciones que requieren un alto rendimiento en la conmutación y amplificación de señales. Este transistor unipolar es ideal para circuitos que operan a altas tensiones y corrientes, ofreciendo una excelente eficiencia y capacidad de disipación de calor.

Especificaciones técnicas

  • Fabricante: Infineon
  • Tipo de transistor: N-MOSFET
  • Polarización: Unipolar
  • Tensión drenaje-fuente: 200V
  • Corriente del drenaje: 11A
  • Poder disipado: 125W
  • Carcasa: TO220AB
  • Tensión puerta-fuente: ±20V
  • Resistencia en estado de transferencia: 0.18Ω
  • Montaje: THT
  • Carga de puerta: 70nC

Otra información

16539-DIPBF | Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; TO220AB

Características

  • Marca
    OEM
  • Potencia
    125 W
  • Tensión eléctrica
    200 V
  • Intensidad de la corriente
    18 A
  • Material
    Metal
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