¡Creemos que esto puede interesarte!
Comparar con artículos similares
Información del producto
Descripción
ESPECIFICACIONES TÉCNICAS:
- Fabricante Infineon (IRF)
- Tipo de transistor N-MOSFET
- Tecnología HEXFET®
- Tensión drenaje-fuente 100V
- Corriente del drenaje 17A
- Poder disipado 79W
- Carcasa TO220AB
- Tensión puerta-fuente ±20V
- Resistencia en estado de transferencia 90mΩ
- Carga de puerta 24.7nC
Características
- MarcaINFINEON TECHNOLOGIES
- ColorMulticolor
- Intensidad de la corriente17 A
- MaterialPlástico
- Peso100 g
- Potencia35 W
- Tensión eléctrica5 V
- Referencia ManoManoME247530178
- MMID904308946741
- Ref. del fabricante16532-DI
Estás aquí:
'/%3E%3C/svg%3E){kind=small}