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Transistor Con Diodo 600V 80A 195W IGBT TO-3P SGH80N60UFD

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Información del producto

Descripción

Descripción general

Transistor IGBT en cápsula TO-3P, ideal para aplicaciones de alta potencia y eficiencia. Este componente es fabricado por ON Semiconductor / Fairchild, garantizando calidad y rendimiento en su uso.

Especificaciones técnicas

  • Voltaje colector-emisor VCEO máx.: 600 V
  • Voltaje de saturación colector-emisor: 2.1 V
  • Voltaje puerta-emisor máximo: 20 V
  • Corriente continua del colector a 25º C: 80 A
  • Disipación de potencia: 195 W
  • Corriente continua del colector Ic Máx: 80 A

    • Características

    • Marca
      ON SEMICONDUCTOR
    • Garantía
      3 año(s)
    • Color
      Negro
    • Alto
      100 mm
    • Intensidad de la corriente
      80 A
    • Material
      Plástico
    • Tipo de instalación eléctrica
      Con tornillos
    • Peso
      100 g
    • Potencia
      195 W
    • Tensión eléctrica
      5 V
    • Referencia ManoMano
      ME40445146
    • MMID
      900733690308
    • Ref. del fabricante
      20892-DI
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