Descripción general
El transistor N-MosFet IRF520NPBF es un componente electrónico de alta potencia diseñado para aplicaciones que requieren un manejo eficiente de la corriente y la tensión. Fabricado por Infineon Technologies, este transistor es ideal para circuitos de conmutación y amplificación.Especificaciones técnicas
- Tensión drenaje-fuente: 100V
- Corriente del drenaje: 9.7A
- Poder disipado: 48W
- Carcasa: TO220AB
- Tensión puerta-fuente: ±20V
- Resistencia en estado de transferencia: 0.2Ω
- Carga de puerta: 16.7nC
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